10月16日，商务部就修订《中国禁止出口限制出口技术目录》公开征求意见并对相关技术出口实施临时登记管理。此次公开征求意见涉及人工智能、生物医药、光伏三个领域40项技术。光伏领域包括多晶硅制造、硅片制造、电池制造相关12项技术；技术管理范围也包含承载相关技术的关键和核心设备。其中多晶硅制备技术、硅片制备技术以及电池片制备技术划分了禁止出口与限制出口两大类。对于本次新增光伏领域，商务部表示主要是维护国家安全和利益。近年来，光伏技术在航天、国防、无人装备、高安全等级基础设施等敏感领域的应用不断拓展，光伏技术出口可能引致的国家安全风险不断上升，有必要及时适度实施监管。序号 | 行业领域 | 编号 | 技术名称 | 控制要点 |
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1 | 非金属矿物制品业 | 263003J | 多晶硅制备技术 | 1.单线三氯氢硅产能≥25万吨/年的冷氢化流化床工艺，及其设备制造技术。
2.单线产能≥2万吨/年的硅烷流化床工艺，及其设备制造技术。 |
2 |
| 263004J | 硅片制备技术 | 厚度≤70微米的硅片制备技术，及其设备制造技术。
注："硅片制备技术"包括程序代码、底层算法模型、设备图纸等。 |
3 | 电气机械和器材制造业 | 263801J | 光伏电池制备技术 | 1.同时适用以下条件，用于晶硅电池制备的边缘钝化光伏专用技术，及其设备制造技术：
（1）可用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
（2）硅片厚度≤140微米。
2.钙钛矿及叠层电池组件生产技术，及其设备制造技术，包括：
（1）钙钛矿晶硅叠层电池技术，量产硅片尺寸≥182毫米且效率≥30%；
（2）钙钛矿专用狭缝涂布技术，加工宽幅≥1.1米；
（3）大面积单结钙钛矿电池组件技术，单结钙钛矿电池组件面积≥1平方米且效率≥18%；
（4）大面积叠层钙钛矿电池组件技术，组件面积≥1平方米且效率≥28%。 |
序号 | 行业领域 | 编号 | 技术名称 | 控制要点 |
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4 | 非金属矿物制品业 | 263004X | 多晶硅制备技术 | 1.单线产能≥3万吨/年的多晶硅工程技术。
2.单台还原炉多晶硅产能≥800吨/年的还原工艺，及其设备制造技术。
注："工程技术"含设备工程设计、厂房建设工程设计、工艺包等。 |
5 | 非金属矿物制品业 | 263005X | 硅片制备技术 | 1.光伏用单晶硅棒拉制技术，及其设备制造技术，包括：
（1）炉体炉腔内径≥1600毫米的单晶炉设计应用方案；
（2）尺寸≥35英寸的单晶炉热场设计应用方案；
（3）拉速≥1.2毫米/分钟的单晶炉设计应用方案；
（4）能耗等径功率≤40千瓦的单晶炉设计应用方案。
2.光伏用单晶硅棒机加工技术，及其设备制造技术，包括：
（1）半棒截磨制备加工技术；
（2）可用于制造长度≥720毫米硅棒的机加工技术。
3.超薄大尺寸光伏硅片制备技术，及其设备制造技术，包括：
（1）可用于制造任一边长≥182毫米矩形硅片的制备技术；
（2）可用于制备130微米及以下厚度硅片的技术：
1）28微米及以下钨丝切片技术；
2）主轴转速≥6500转/分钟，或主辊直径≤120毫米，或主辊横向轴距≤370毫米的切片设备设计应用方案。 |
6 | 电气机械和器材制造业 | 263802X | 光伏电池制备技术 | 1.高效隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）、高效背接触（XBC）晶硅电池制备技术，及其设备制造技术，包括：
（1）同时适用以下条件的超薄隧穿氧化层、掺杂多晶硅选择性钝化接触层低压化学气相沉积（LPCVD）和离子增强化学气相沉积（PECVD）光伏专用镀膜技术：
1）可用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米；
3）以G12硅片整片计，LPCVD设备产能≥6000片/小时，PECVD设备产能≥6000片/小时。
（2）同时适用以下条件的氧化铝表面钝化层原子层沉积（ALD）光伏专用镀膜技术：
1）以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米；
3）以G12硅片整片计，产能≥12000片/小时。
（3）同时适用以下条件的高温硼扩散光伏专用技术：
1）以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米；
3）以G12硅片整片计，产能≥4500片/小时。
（4）同时适用以下条件的TOPCon电池铜电镀电极制备技术：
1）可用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米。
（5）同时适用以下条件的低温非晶或微晶硅沉积与PECVD光伏专用镀膜技术：
1）可用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米。
（6）同时适用以下条件的XBC电池电镀与化学镀膜技术：
1）用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米。
2.异质结（HJT）晶硅电池制备技术，及其设备制造技术，包括：
（1）具有以下任一特性，可用于加工厚度≤110微米硅片的异质结电池叠层透明导电薄膜沉积技术：
1）透明导电薄膜铟含量≤50%；
2）以G12硅片计，产能≥14000半片/小时。
（2）具有以下任一特性，可用于加工厚度≤110微米硅片的异质结电池晶硅薄膜沉积技术：
1）用于高效N型异质结电池，薄膜晶化率≥40%，或以G12硅片计，产能≥14000半片/小时；
2）用于P型异质结电池，在AM1.5测试条件下，最高转换效率≥23%，或在AM0测试条件下，最高转换效率≥20.5%。
（3）低银含银包铜异质结太阳电池制备技术，银含量≤30%。
（4）铜电镀电极异质结电池制备技术。
注：本类技术中"高效"指在AM1.5测试条件下，电池平均转换效率≥25% ，或量产组件平均转换效率≥22. 3%。 |
6 | 电气机械和器材制造业 | 263802X | 光伏电池制备技术 | 1.高效隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）、高效背接触（XBC）晶硅电池制备技术，及其设备制造技术，包括：
（1）同时适用以下条件的超薄隧穿氧化层、掺杂多晶硅选择性钝化接触层低压化学气相沉积（LPCVD）和离子增强化学气相沉积（PECVD）光伏专用镀膜技术：
1）可用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米；
3）以G12硅片整片计，LPCVD设备产能≥6000片/小时，PECVD设备产能≥6000片/小时。
（2）同时适用以下条件的氧化铝表面钝化层原子层沉积（ALD）光伏专用镀膜技术：
1）以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米；
3）以G12硅片整片计，产能≥12000片/小时。
（3）同时适用以下条件的高温硼扩散光伏专用技术：
1）以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米；
3）以G12硅片整片计，产能≥4500片/小时。
（4）同时适用以下条件的TOPCon电池铜电镀电极制备技术：
1）可用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米。
（5）同时适用以下条件的低温非晶或微晶硅沉积与PECVD光伏专用镀膜技术：
1）可用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米。
（6）同时适用以下条件的XBC电池电镀与化学镀膜技术：
1）用于整片或半片、多分片太阳能硅片，以整片硅片尺寸计，每条边长在182-230毫米之间；
2）硅片厚度≤140微米。
2.异质结（HJT）晶硅电池制备技术，及其设备制造技术，包括：
（1）具有以下任一特性，可用于加工厚度≤110微米硅片的异质结电池叠层透明导电薄膜沉积技术：
1）透明导电薄膜铟含量≤50%；
2）以G12硅片计，产能≥14000半片/小时。
（2）具有以下任一特性，可用于加工厚度≤110微米硅片的异质结电池晶硅薄膜沉积技术：
1）用于高效N型异质结电池，薄膜晶化率≥40%，或以G12硅片计，产能≥14000半片/小时；
2）用于P型异质结电池，在AM1.5测试条件下，最高转换效率≥23%，或在AM0测试条件下，最高转换效率≥20.5%。
（3）低银含银包铜异质结太阳电池制备技术，银含量≤30%。
（4）铜电镀电极异质结电池制备技术。
注：本类技术中"高效"指在AM1.5测试条件下，电池平均转换效率≥25% ，或量产组件平均转换效率≥22. 3%。 |
